Vui lòng dùng định danh này để trích dẫn hoặc liên kết đến tài liệu này: http://data.ute.udn.vn/handle/123456789/513
Toàn bộ biểu ghi siêu dữ liệu
Trường DCGiá trị Ngôn ngữ
dc.contributor.advisorTrương, Thị Hoa-
dc.contributor.authorLưu, Hoài Nam-
dc.date.accessioned2023-03-01T02:02:49Z-
dc.date.available2023-03-01T02:02:49Z-
dc.date.issued2023-03-
dc.identifier.urihttp://data.ute.udn.vn/handle/123456789/513-
dc.description.abstractNguồn xung điện áp cao sử dụng Silicon Diodes cho dòng điện xoay chiều (SIDAC-Silicon Diode for Alternating Current), xung được tạo ra bằng cách sử dụng đặc tính chuyển mạch tốc độ cao của SIDAC và đặc tính tự kết thúc của hệ thống phóng điện màn chắn điện môi (DBD-Dielectric Barrier Discharge) mà không cần điều khiển bên ngoài. Trong thiết kế của chúng tôi, một loạt kết nối SIDAC được kết nối với một mạch đơn giản trong đó DBD hoạt động như một phụ tải, một tụ điện được sử dụng nhằm ổn định điện áp cho quá trình hoạt động của SIDAC và được sạc bằng nguồn điện áp cao. Nguồn xung được thiết kế với cấu trúc mô đun đơn giản, loại bỏ máy biến áp, tối thiểu các mức chuyển đổi điện áp đã tạo ra nguồn xung gọn nhẹ về kích thước, trọng lượng, bảo trì đơn giản và khả năng mở rộng cao.en_US
dc.language.isovien_US
dc.subjectNghiên cứu khoa họcen_US
dc.subjectKhoa Điện - Điện tửen_US
dc.titleThiết kế lắp ráp nuồn xung điện áp cao sử dụng SIDACen_US
dc.typeWorking Paperen_US
Bộ sưu tập: NCKHSV năm 2022

Các tập tin trong tài liệu này:
Tập tin Mô tả Kích thước Định dạng  
SV2020-209_Lưu Hoài Nam.pdf
  Giới hạn truy cập
777.57 kBAdobe PDFHình minh họa
 Đăng nhập để xem toàn văn


Khi sử dụng các tài liệu trong Thư viện số phải tuân thủ Luật bản quyền.